我来帮你梳理每一章的内容,先从大纲和各章课件中提取关键信息。让我逐章检索。大纲已获取成功,让我继续检索各章课件内容。现在我已经获取了所有章节的详细内容。下面为你整理一份完整的期末考试复习提纲:


📚 《通信电路与系统》期末考试复习提纲

考试形式:一页纸开卷(60%),平时20%,实验20%
核心教材:射频电路设计——理论与应用(第二版),Ludwig著


第1章 绪论(2学时,了解为主)

1.1 电磁波频段划分

  • RF频段:通常指 VHF ~ X波段,是目前多数集总元件能达到的工作频段
  • 我国工程常用划分(记住几个关键的):
波段 频率范围 波长
P波段 0.23~1 GHz 130~30 cm
L波段 1~2 GHz 30~15 cm
S波段 2~4 GHz 15~7.5 cm
C波段 4~8 GHz 7.5~3.75 cm
X波段 8~12.5 GHz 3.75~2.4 cm
Ku/K/Ka 12.5~40 GHz 2.4~0.75 cm

1.2 电磁波传播特性

⭐ 自由空间基本传输损耗公式

$$L_{bf} = \frac{P_i}{P_R} = \frac{1}{G_t G_r}\left(\frac{4\pi d}{\lambda}\right)^2$$

  • 传播损耗由球面波能量扩散引起
  • 传播方式:视距传播、天波传播、地波传播、不均匀媒质传播
  • 衰落:吸收性衰落(介电参数变化)、干涉性衰落(多径效应)

1.3 无线信道特性及容量

⭐⭐ 香农公式(必考级公式):

$$I = B \log_2(1 + \text{SNR})$$

  • $I$:信息容量(b/s),$B$:系统带宽(Hz),SNR:信噪比
  • 哈特莱定律:$I = KBT$

1.4 调制与多址

  • 调制:AM(幅度)、FM(频率)、PM(相位)
  • 多址:FDMA(频分)、TDMA(时分)、CDMA(码分)
  • 双工:FDD(频分双工)、TDD(时分双工)

1.7 射频前端设计要求

  1. 良好的选择性
  2. 低噪声、高动态范围
  3. 对杂散频率信号有良好抑制
  4. 本振低相位噪声
  5. 发射机严格限制带外衰减
  6. 功放高效率
  7. 低电压、低功耗

第2章 无线通信收发机系统结构(4学时,⭐重点)

2.1 信号功率单位

⭐ dBm/dBW 换算

$$P(\text{dBm}) = 10\log_{10}\frac{P(\text{mW})}{1\text{mW} }$$

$$P(\text{dBW}) = 10\log_{10}\frac{P(\text{W})}{1\text{W} }$$

$$0\text{ dBW} = 30\text{ dBm} = 1\text{ W}$$

2.2 接收机结构

⭐⭐⭐ 超外差接收机(最核心)

为什么要变频到中频?

  • 射频段选频困难(要求滤波器Q值极高)
  • 增益分散在各频段更易稳定
  • 固定低中频上增益大而稳定

各级功能

  • 射频前端:低噪声放大、选频带
  • 变频器:频谱搬移($\omega_{IF} = |\omega_{RF} - \omega_{LO}|$)
  • 中频模块:选信道、主增益级

⭐⭐ 镜像频率干扰(高频考点):

  • 高本振:$f_{im} = f_{RF} + 2f_{IF}$
  • 低本振:$f_{im} = f_{RF} - 2f_{IF}$
  • 消除方法:前端滤波器滤除,提高中频
  • 中频选择原则:$f_{IF} > 2BW$(通常)

⭐⭐ 二次变频超外差

  • I中频:高中频值 → 提高镜象抑制比
  • II中频:低中频值 → 利于选择信道
  • 总增益 = 低噪放增益 + I中频增益 + II中频增益(主要增益级)

组合频率干扰:$\omega = p\omega_{RF} \pm q\omega_{LO}$

  • 三阶互调干扰:$\omega_{IF} \approx 2\omega_1 - \omega_2 - \omega_{LO}$

⭐⭐ 零中频(直接下变频)接收机

  • 优点:不存在镜像频率;可用低通滤波器选信道;易匹配
  • 缺点
    1. 本振泄漏
    2. LNA偶次谐波失真干扰
    3. 直流偏差(本振泄漏自混频、强干扰自混频)
    4. 1/f 噪声影响
    5. I/Q不平衡
    6. 要求载波提取与锁相同步

⭐ 低中频接收机

  • 正交下变频抑制镜像
  • 消除直流失调和闪烁噪声

⭐ 镜频抑制接收机

  • Hartley结构:利用90°移相和加法抵消镜频
  • Weaver结构:二次正交混频

数字中频接收机

  • 第二次混频和滤波数字化
  • 避免I/Q不平衡,完美镜像抑制

2.3 发射机结构

  • 直接变换法:调制和上变频合二为一
  • 两步法:先中频调制,再上变频到载频

第3章 射频元器件及电路模型(5学时,⭐⭐重点)

3.1 无源元件

⭐⭐ 电阻器射频等效电路

  • 寄生电感 $L_s$(引线电感)和寄生电容 $C_p$(引脚间电容)
  • 高频时阻抗偏离标称值

⭐⭐ 电容器射频等效电路

  • 等效模型:理想C串联 $R_s$(损耗电阻)和 $L_s$(引线电感),并联 $R_p$(绝缘电阻)
  • 自谐振频率:当容抗等于感抗时的频率
  • 低于自谐振频率 → 容性;高于 → 感性

⭐⭐ 电感器射频等效电路

  • 等效模型:理想L串联 $R_s$(绕线损耗),并联 $C_p$(匝间电容)
  • 品质因数 $Q = \frac{\omega L}{R_s}$

3.2 射频二极管

⭐ 肖特基二极管

  • 金属-半导体结,正向压降低(~0.3V)
  • 高频检波、混频的首选

⭐⭐ PIN二极管

  • 结构:P-I-N,I层为本征层
  • 正向偏置:等效为小电阻(射频开关导通)
  • 反向偏置:等效为大电阻(射频开关断开)
  • 应用:射频开关、衰减器

变容二极管

  • 利用PN结电容与反向偏置电压的关系
  • 等效为电压可变电容
  • 应用:调谐、调制、参量放大

IMPATT二极管 / 耿氏二极管

  • 用于微波频段功率产生(了解)

3.3 双极型晶体管(BJT)⭐⭐⭐

⭐⭐ 低频工作特性

  • 放大条件:发射结正偏,集电结反偏
  • 电流关系:$I_E = I_B + I_C$
  • $\beta = \frac{\Delta i_C}{\Delta i_B}$

⭐⭐ 混合π等效模型

  • $g_m$:跨导(不随频率变化)
  • $r_{b’e}$:基极-发射极电阻
  • $r_{b’c}$:基极-集电极电阻
  • $C_\pi, C_\mu$:结电容

⭐⭐ 射频特性——β截止频率

$$\dot{\beta} = \frac{\beta_0}{1 + j\frac{f}{f_\beta} }$$

$$|\dot{\beta}| = \frac{\beta_0}{\sqrt{1 + (f/f_\beta)^2} }$$

  • $f \ll f_\beta$:$|\dot{\beta}| \approx \beta_0$
  • $f = f_\beta$:$|\dot{\beta}| = 0.707\beta_0$,$\phi = -45°$
  • $f \gg f_\beta$:$|\dot{\beta}| \approx \beta_0 \cdot f_\beta / f$

3.4 场效应晶体管(FET)⭐

MOS管特性

  • 恒流区(饱和区)条件:$u_{DS} > u_{GS} - U_{GS(th)}$
  • 电流方程:$i_D = I_{DO}\left(\frac{u_{GS} }{U_{GS(th)} } - 1\right)^2$

第4章 传输线理论(3学时,⭐⭐⭐核心重点)

4.3 传输线集总元件模型与电报方程

⭐⭐⭐ 电报方程

$$-\frac{\partial v(z,t)}{\partial z} = Ri(z,t) + L\frac{\partial i(z,t)}{\partial t}$$

$$-\frac{\partial i(z,t)}{\partial z} = Gv(z,t) + C\frac{\partial v(z,t)}{\partial t}$$

频域形式

$$\frac{dV(z)}{dz} = -(R + j\omega L)I(z)$$

$$\frac{dI(z)}{dz} = -(G + j\omega C)V(z)$$

⭐⭐⭐ 波动方程与解

$$\frac{d^2V(z)}{dz^2} - k^2V(z) = 0$$

$$k = \sqrt{(R+j\omega L)(G+j\omega C)} = \alpha + j\beta$$

$$V(z) = V^+e^{-kz} + V^-e^{kz}$$

⭐⭐⭐ 特征阻抗

$$Z_0 = \sqrt{\frac{R + j\omega L}{G + j\omega C} }$$

无损线(R=G=0):

$$Z_0 = \sqrt{\frac{L}{C} }, \quad \beta = \omega\sqrt{LC}, \quad v_p = \frac{1}{\sqrt{LC} }$$

波长和相速

$$\lambda = \frac{2\pi}{\beta}, \quad v_p = f\lambda = \frac{\omega}{\beta}$$

4.4 端接负载的无耗传输线 ⭐⭐⭐

⭐⭐⭐ 电压反射系数

$$\Gamma_o = \frac{Z_L - Z_o}{Z_L + Z_o} = \frac{V^-(0)}{V^+(0)}$$

$$\Gamma(z) = \Gamma_o e^{2j\beta z} \quad \text{(向源方向)}$$

⭐⭐⭐ 输入阻抗(最重要公式之一)

$$\boxed{Z_{in}(d) = Z_o \frac{Z_L + jZ_o\tan\beta d}{Z_o + jZ_L\tan\beta d} }$$

⭐⭐ 驻波比 VSWR

$$VSWR = \frac{V_{max} }{V_{min} } = \frac{1 + |\Gamma|}{1 - |\Gamma|}$$

$$|\Gamma| = \frac{VSWR - 1}{VSWR + 1}$$

⭐⭐⭐ 特殊终端传输线(必考!)

终端类型 $\Gamma_o$ $Z_{in}(d)$ 特性
短路 ($Z_L=0$) -1 $jZ_o\tan\beta d$ 可等效为L或C
开路 ($Z_L=\infty$) +1 $-jZ_o\cot\beta d$ 可等效为L或C
匹配 ($Z_L=Z_o$) 0 $Z_o$ 无反射
λ/2线 $Z_L$ 不变换阻抗
λ/4线 $Z_o^2/Z_L$ 阻抗倒置

⭐⭐ λ/4阻抗变换器

$$Z_{in} = \frac{Z_o^2}{Z_L} \quad \Rightarrow \quad Z_o = \sqrt{Z_{in} \cdot Z_L}$$

4.5 有耗传输线

低耗线($R \ll \omega L, G \ll \omega C$):

$$\alpha \approx \frac{1}{2}\left(\frac{R}{Z_0} + GZ_0\right), \quad \beta \approx \omega\sqrt{LC}$$

无畸变条件:$R/L = G/C$

4.6 最佳功率传输

$$Z_{in} = Z_G^* \quad \text{(共轭匹配)}$$

$$R_{in} = R_G, \quad X_{in} = -X_G$$

回波损耗:$RL = -20\log|\Gamma| \text{ (dB)}$

4.7 Smith圆图 ⭐⭐⭐

⭐⭐ 核心关系

$$\Gamma = \frac{Z_{in} - Z_o}{Z_{in} + Z_o}, \quad z_{in} = \frac{1+\Gamma}{1-\Gamma} = r + jx$$

等电阻圆

$$\left(\Gamma_r - \frac{r}{1+r}\right)^2 + \Gamma_i^2 = \left(\frac{1}{1+r}\right)^2$$

等电抗圆

$$(\Gamma_r - 1)^2 + \left(\Gamma_i - \frac{1}{x}\right)^2 = \left(\frac{1}{x}\right)^2$$

Smith圆图使用要点

  • 串联电感:沿等电阻圆顺时针移动
  • 串联电容:沿等电阻圆逆时针移动
  • 并联电感:沿等电导圆逆时针移动
  • 并联电容:沿等电导圆顺时针移动
  • 向源方向(generator):顺时针旋转
  • 向负载方向(load):逆时针旋转
  • 一圈 = λ/2
  • 阻抗→导纳:旋转180°(或使用阻抗-导纳复合圆图)

等Q值圆:$Q_n = |x|/r = \frac{2|\Gamma_i|}{1-\Gamma_r^2-\Gamma_i^2}$

开路传输线等效元件

  • 电感:$Z_{in} = -jZ_o\cot\beta l = j\omega L$
  • 电容:$Z_{in} = -jZ_o\cot\beta l = -j/\omega C$

短路传输线等效元件

  • 电感:$Z_{in} = jZ_o\tan\beta l = j\omega L$
  • 电容:$Z_{in} = jZ_o\tan\beta l = -j/\omega C$

第5章 射频网络参数与分析(2学时,⭐⭐重点)

5.1 Z参数和Y参数

⭐ Z参数(开路阻抗矩阵)

$$\begin{bmatrix} V_1 \ V_2 \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} Z_{11} & Z_{12} \ Z_{21} & Z_{22} \end{bmatrix} \begin{bmatrix} I_1 \ I_2 \end{bmatrix}$$

$$Z_{ij} = \frac{V_i}{I_j}\bigg|_{I_k=0, k\neq j} \quad \text{(其余端口开路)}$$

⭐ Y参数(短路导纳矩阵)

$$\begin{bmatrix} I_1 \ I_2 \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} Y_{11} & Y_{12} \ Y_{21} & Y_{22} \end{bmatrix} \begin{bmatrix} V_1 \ V_2 \end{bmatrix}$$

$$Y_{ij} = \frac{I_i}{V_j}\bigg|_{V_k=0, k\neq j} \quad \text{(其余端口短路)}$$

5.2 ABCD矩阵(传输矩阵)⭐⭐

$$\begin{bmatrix} V_1 \ I_1 \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} A & B \ C & D \end{bmatrix} \begin{bmatrix} V_2 \ I_2 \end{bmatrix}$$

⭐ 传输线段的ABCD矩阵

$$\begin{bmatrix} A & B \ C & D \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} \cos\beta l & jZ_o\sin\beta l \ jY_o\sin\beta l & \cos\beta l \end{bmatrix}$$

级联:$[ABCD]_{total} = [ABCD]_1 \times [ABCD]_2$

互易条件:$AD - BC = 1$

5.3 H参数

$$\begin{bmatrix} V_1 \ I_2 \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} h_{11} & h_{12} \ h_{21} & h_{22} \end{bmatrix} \begin{bmatrix} I_1 \ V_2 \end{bmatrix}$$

  • $h_{11}$:输入阻抗,$h_{12}$:反向电压增益
  • $h_{21}$:正向电流增益,$h_{22}$:输出导纳

5.4 S参数 ⭐⭐⭐(最重要的网络参数)

⭐⭐⭐ S参数定义

$$\begin{bmatrix} b_1 \ b_2 \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} S_{11} & S_{12} \ S_{21} & S_{22} \end{bmatrix} \begin{bmatrix} a_1 \ a_2 \end{bmatrix}$$

  • $a_n$:入射波(功率归一化),$b_n$:反射波

⭐⭐⭐ S参数物理意义

参数 定义 物理意义
$S_{11} = \frac{b_1}{a_1}\big|_{a_2=0}$ 端口2匹配时端口1的反射系数 输入回波损耗
$S_{21} = \frac{b_2}{a_1}\big|_{a_2=0}$ 端口2匹配时的正向传输 正向增益
$S_{12} = \frac{b_1}{a_2}\big|_{a_1=0}$ 端口1匹配时的反向传输 反向隔离度
$S_{22} = \frac{b_2}{a_2}\big|_{a_1=0}$ 端口1匹配时端口2的反射系数 输出回波损耗

⭐⭐ 关键关系

$$S_{11} = \Gamma_{in} = \frac{Z_{in} - Z_o}{Z_{in} + Z_o} \quad (a_2=0时)$$

回波损耗:$RL = -20\log|S_{11}| \text{ (dB)}$

正向功率增益:$G = |S_{21}|^2$,即 $G(dB) = 20\log|S_{21}|$

链形散射矩阵(T矩阵)——用于级联:

$$\begin{bmatrix} a_1 \ b_1 \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} T_{11} & T_{12} \ T_{21} & T_{22} \end{bmatrix} \begin{bmatrix} b_2 \ a_2 \end{bmatrix}$$

$$[T] = [T_A][T_B] \quad \text{(级联相乘)}$$

S与T的转换

$$T_{11} = -\frac{\Delta_S}{S_{21} }, \quad T_{12} = \frac{S_{11} }{S_{21} }, \quad T_{21} = -\frac{S_{22} }{S_{21} }, \quad T_{22} = \frac{1}{S_{21} }$$

其中 $\Delta_S = S_{11}S_{22} - S_{12}S_{21}$

5.5 信号流图

四条分解法则

  1. 串联:$V_3 = S_{32}S_{21}V_1$
  2. 并联:$V_2 = (S_a + S_b)V_1$
  3. 自闭环:$\frac{V_3}{V_1} = \frac{S_{32}S_{21} }{1 - S_{22} }$
  4. 部分法则:$V_4 = S_{42}S_{21}V_1$

梅森公式

$$H = \frac{y}{x} = \frac{1}{\Delta_0}\sum_i P_i\Delta_i$$

$\Delta_0 = 1 - \sum L_j + \sum L_m L_n - \cdots$


第6章 阻抗匹配与调谐(4学时,⭐⭐⭐核心重点)

6.1 LC串并联谐振回路 ⭐⭐⭐

⭐⭐ 并联谐振回路

$$Y(\omega) = G + j\omega C + \frac{1}{j\omega L}$$

谐振频率:$f_0 = \frac{1}{2\pi\sqrt{LC} }$

品质因数

$$Q_P = \frac{R}{\omega_0 L} = \omega_0 RC = \frac{R}{\rho}$$

其中 $\rho = \omega_0 L = \frac{1}{\omega_0 C}$(特性阻抗)

谐振时特点

  • 阻抗最大:$Z(\omega_0) = R = 1/G$
  • 电感/电容电流 = $Q \times I_S$(电流谐振)

串联谐振回路

$$Q_S = \frac{\omega_0 L}{r} = \frac{1}{\omega_0 Cr}$$

⭐⭐ 选频特性

归一化幅频特性:

$$S(\omega) = \frac{V(\omega)}{V_0} = \frac{1}{\sqrt{1 + \left(Q\frac{2\Delta\omega}{\omega_0}\right)^2} }$$

3dB带宽:$BW_{3dB} = \frac{f_0}{Q}$

矩形系数:$K_{0.1} = \frac{BW_{20dB} }{BW_{3dB} } \approx 9.96$(单谐振回路)

⭐ 串并联支路阻抗变换(高Q条件下):

$$R_P = (1 + Q^2)r_S \approx Q^2 r_S$$

$$X_P \approx X_S \quad \text{(高Q时)}$$

$$Q = \frac{X_S}{r_S} = \frac{R_P}{X_P}$$

有载品质因数

$$Q_e = \frac{R_T}{\omega_0 L} = \frac{R_S // R_P // R_L}{\rho} < Q_0$$

6.2 分立元件匹配网络 ⭐⭐⭐

⭐⭐ L型匹配网络

Q值公式(最核心):

$$\boxed{Q = \sqrt{\frac{R_{大} }{R_{小} } - 1} }$$

  • 当 $R_S > R_L$ 时:$X_S = Q \cdot R_L$(串联),$X_P = R_S / Q$(并联)
  • 当 $R_S < R_L$ 时:$X_P = R_L / Q$(并联),$X_S = Q \cdot R_S$(串联)

带宽:$BW \approx f_0 / Q_e$,其中 $Q_e = Q/2$

L网络缺点:Q值由阻抗比决定,不可自由选择

⭐⭐ 部分接入阻抗变换

接入系数:$P = \frac{X_2}{X_1 + X_2} < 1$

$$R’ = \frac{R}{P^2} \quad \text{(部分→全部,阻抗变大)}$$

条件:高Q($Q > 4$)

⭐⭐ π型和T型匹配网络

  • 分解为两个L网络,设置假想中间电阻 $R_{inter}$
  • $Q_1 = \sqrt{R_{大}/R_{inter} - 1}$
  • $Q_2 = \sqrt{R_{inter}/R_{小} - 1}$
  • 设计原则:假设高Q端,由高Q决定带宽
  • 以三个电抗元件为代价,扩大调整Q值的自由度

Smith圆图法设计L型匹配网络步骤

  1. 归一化源阻抗和负载阻抗
  2. 画过负载阻抗的等电阻圆/等电导圆
  3. 画过源阻抗共轭点的等电阻圆/等电导圆
  4. 找交点 → 确定移动路径
  5. 读电抗/电纳变化量 → 求L、C实际值

等Q值圆

$$Q_n = \frac{|x|}{r} = \frac{2|\Gamma_i|}{1 - \Gamma_r^2 - \Gamma_i^2}$$

$$Q_L = Q_n / 2$$

6.3 传输线匹配网络 ⭐⭐

单节短截线匹配

  • 并联短截线:$d$ 和 $l$ 两个变量
  • 串联短截线:类似

λ/4阻抗变换器

$$Z_o = \sqrt{Z_{in} \cdot Z_L}$$

只能匹配实数负载。

6.4 渐变传输线阻抗变换器(了解)

  • 指数渐变、三角形渐变、Klopfenstein渐变
  • 总反射系数:$\Gamma(\theta) = \frac{1}{2}\int_0^L \frac{d(\ln Z/Z_o)}{dz} e^{-2j\beta z}dz$

第7章 噪声与非线性失真(6学时,⭐⭐⭐最重要章节之一)

一、噪声 ⭐⭐⭐

7.2.1 电阻热噪声

⭐⭐ 功率谱密度

$$S_V(f) = 4kTR \quad (\text{V}^2/\text{Hz})$$

$$S_I(f) = 4kT/R = \frac{4kT}{R} \quad (\text{A}^2/\text{Hz})$$

噪声电压/电流均方值

$$\overline{V_n^2} = 4kTRB$$

$$\overline{I_n^2} = \frac{4kTB}{R}$$

$k = 1.38 \times 10^{-23}$ J/K,$T$ 为绝对温度(K)

⭐ 额定噪声功率(匹配条件下):

$$N_A = \frac{\overline{V_n^2} }{4R} = kTB$$

与电阻大小无关,仅与温度T和带宽B有关!

7.2.2 晶体管噪声

  • BJT:基区电阻热噪声 $\overline{V_{n,bb’}^2} = 4kTr_{bb’}B$,散粒噪声 $\overline{I_{n,b}^2} = 2qI_BB$
  • FET:沟道热噪声 $\overline{I_{n,D}^2} = 4kT\gamma g_{d0}B$,1/f闪烁噪声

7.2.3 等效噪声带宽

$$B_L = \frac{\int_0^\infty |H(f)|^2 df}{|H(f_0)|^2}$$

⭐⭐⭐ 噪声系数

$$\boxed{F = \frac{SNR_i}{SNR_o} = \frac{P_{si}/P_{ni} }{P_{so}/P_{no} } > 1}$$

$$NF = 10\log F \quad (\text{dB})$$

$$F = 1 + \frac{\overline{V_n^2} + \overline{I_n^2}R_S^2}{4kTR_SB}$$

标准噪声温度:$T_0 = 290K$

无源有耗网络:$F = L$(噪声系数等于损耗)

⭐⭐ 等效噪声温度

$$\boxed{T_e = (F-1)T_0 \quad \Leftrightarrow \quad F = 1 + \frac{T_e}{T_0} }$$

Y因子法测量

$$T_e = \frac{T_1 - YT_2}{Y - 1}, \quad Y = \frac{N_1}{N_2} > 1$$

⭐⭐⭐ 多级级联噪声系数(Friis公式,必考!)

$$\boxed{F = F_1 + \frac{F_2 - 1}{G_{P1} } + \frac{F_3 - 1}{G_{P1}G_{P2} } + \cdots}$$

等效噪声温度级联

$$T_e = T_{e1} + \frac{T_{e2} }{G_{P1} } + \frac{T_{e3} }{G_{P1}G_{P2} } + \cdots$$

结论

  1. 第一级噪声系数对系统影响最大
  2. 增大第一级增益可减少后级影响

二、非线性 ⭐⭐⭐

7.3.1 非线性描述

$$i_c = a_0 + a_1v + a_2v^2 + a_3v^3 + \cdots$$

⭐⭐ 单信号输入——增益压缩

基波电流:$I_{S1} = \left(a_1 + \frac{3}{4}a_3V_{im}^2\right)V_{im}$

  • $a_3 < 0$ 时:增益随信号增大而减小
  • 1dB压缩点

$$V_{im,-1dB} \approx 0.145\sqrt{\left|\frac{a_1}{a_3}\right|}$$

$$V_{out,-1dB} = V_{im,-1dB}(dBmV) + A_V(dB) - 1$$

⭐⭐⭐ 双信号输入——互调

输入:$v_i(t) = V_{m1}\cos\omega_1 t + V_{m2}\cos\omega_2 t$

三阶互调分量:$2\omega_1 - \omega_2$ 和 $2\omega_2 - \omega_1$(紧邻基频,无法滤除!)

⭐⭐ 三阶互调截点 IP3

$$V_{im,IP3} \approx \sqrt{\frac{4|a_1|}{3|a_3|} }$$

1dB压缩点与IP3的关系

$$V_{im,IP3}(dB) - V_{im,-1dB}(dB) \approx 9.6 \text{ dB} \approx 10 \text{ dB}$$

互调失真比:$IMR = \frac{3a_3V_m^2}{4a_1} = \left(\frac{V_m}{V_{im,IP3} }\right)^2$

⭐⭐ 多级级联IIP3

$$\frac{1}{(IIP_3)^2} \approx \frac{1}{(IIP_{3,1})^2} + \frac{A_1^2}{(IIP_{3,2})^2} + \frac{A_1^2 A_2^2}{(IIP_{3,3})^2} + \cdots$$

结论:前级增益越高,系统总IIP3越小(与噪声要求矛盾!)

其他非线性效应

  • 堵塞:强干扰使有用信号增益下降至零
  • 交叉调制:干扰信号的调幅转移到有用信号上

三、系统指标分析 ⭐⭐⭐

⭐⭐⭐ 灵敏度

$$\boxed{P_{in,min}(dBm) = F_t(dBm) + SNR_{o,min}(dB)}$$

其中基底噪声:

$$F_t(dBm) = kT_0(dBm/Hz) + NF(dB) + 10\log B$$

$$= -174(dBm/Hz) + NF(dB) + 10\log B$$

当 $T_a = T_0$ 时:

$$P_{in,min}(dBm) = -174 + NF(dB) + 10\log B + SNR_{o,min}(dB)$$

⭐⭐⭐ 动态范围

线性动态范围:$DR_l = P_{in,-1dB} - P_{in,min}$

无杂散动态范围

$$\boxed{DR_f(dB) = \frac{2}{3}\left[IIP_3(dBm) - F_t(dBm)\right] + \frac{1}{3}SNR_{o,min}(dB)}$$

(或等价形式:$DR_f = P_{in,max} - P_{in,min}$,其中 $P_{in,max} = \frac{2IIP_3 + F_t}{3}$)

链路指标计算原则

  • 增益:由前向后逐级相加(dB直接加)
  • 噪声系数:由前向后用Friis公式
  • IIP3:由后向前逐级推算

$$\frac{1}{IIP_{3,B}^2} = \frac{1}{IIP_{3,2}^2} + \frac{G_{P2} }{IIP_{3,C}^2}$$


第8章 射频滤波器(4学时,⭐⭐重点)

8.1 滤波器类型

  • LC滤波器、晶体滤波器、陶瓷滤波器、SAW滤波器、FBAR

8.2 滤波器基本指标 ⭐

  1. 插入损耗:$IL = 10\log\frac{P_{in} }{P_L} = -10\log(1 - |\Gamma_{in}|^2)$
  2. 波纹:带内幅度最大/最小值之差(dB)
  3. 3dB带宽:$BW_{3dB} = f_{U3dB} - f_{L3dB}$
  4. 矩形系数:$SF = BW_{20dB}/BW_{3dB}$
  5. 品质因数:$Q = \frac{\omega_c \cdot W_{stored} }{P_{loss} }$,$Q_L = \frac{f_c}{BW_{3dB} }$

8.4 低通滤波器原型 ⭐⭐⭐

归一化条件:$\omega_c = 1$,$R_S = R_L = 1$

巴特沃斯(最大平坦)

$$IL = 10\log(1 + \Omega^{2N})$$

元件值:$g_m = 2\sin\frac{(2m-1)\pi}{2N}, \quad m = 1,2,\cdots,N$

$g_1 = 2\sin(\pi/2N), g_2 = 2\sin(3\pi/2N), \cdots$

切比雪夫(等波纹):通带内有等波纹,过渡带更陡(同阶数下)

8.5 滤波器设计方法 ⭐⭐⭐

设计流程

  1. 确定滤波器类型和阶数N
  2. 查表获取归一化元件值 $g_1, g_2, \cdots, g_N$
  3. 频率变换
  4. 阻抗变换

⭐⭐ 频率变换公式

变换类型 频率映射 元件变换
低通→低通 $\Omega = \omega/\omega_c$ $L’ = L/\omega_c$, $C’ = C/\omega_c$
低通→高通 $\Omega = -\omega_c/\omega$ 电感→电容 $C’ = 1/(\omega_c L)$,电容→电感 $L’ = 1/(\omega_c C)$
低通→带通 $\Omega = \frac{\omega}{\omega_0} - \frac{\omega_0}{\omega}\frac{\omega_0}{\omega_U - \omega_L}$ 电感→LC串联,电容→LC并联
低通→带阻 $\Omega = \left(\frac{\omega}{\omega_0} - \frac{\omega_0}{\omega}\right)^{-1}\frac{\omega_0}{\omega_U-\omega_L}$ 电感→LC并联,电容→LC串联

带通变换具体元件值

原电感L → 串联的 $L’_s$ 和 $C’_s$:

$$L’_s = \frac{(\omega_U - \omega_L)L}{\omega_0^2}, \quad C’_s = \frac{1}{(\omega_U - \omega_L)L}$$

原电容C → 并联的 $L’_p$ 和 $C’_p$:

$$C’_p = \frac{(\omega_U - \omega_L)C}{\omega_0^2}, \quad L’_p = \frac{1}{(\omega_U - \omega_L)C}$$

⭐⭐ 阻抗变换

$$L’ = R_G \cdot L, \quad C’ = C / R_G$$

其中 $R_G$ 为实际系统阻抗。

阶数确定(巴特沃斯):

$$N \geq \frac{\log\left(\frac{10^{IL_H/10} - 1}{10^{IL_L/10} - 1}\right)}{2\log(\omega_H/\omega_L)}$$

8.5.4 分布式滤波器(了解)

  • Richards变换:$S = j\tan(\pi\Omega/4)$
  • λ/8短路线 → 电感,λ/8开路线 → 电容
  • Kuroda规则:用于电路变换使其易于实现

第9章 射频放大器(4学时,⭐⭐⭐核心重点)

9.1 信号流图与放大器分析 ⭐⭐

放大器关键参量(通过信号流图+梅森公式求得):

⭐⭐ 输入反射系数

$$\boxed{\Gamma_{in} = S_{11} + \frac{S_{12}S_{21}\Gamma_L}{1 - S_{22}\Gamma_L} = \frac{S_{11} - \Delta_S\Gamma_L}{1 - S_{22}\Gamma_L} }$$

输出反射系数

$$\Gamma_{out} = S_{22} + \frac{S_{12}S_{21}\Gamma_S}{1 - S_{11}\Gamma_S} = \frac{S_{22} - \Delta_S\Gamma_S}{1 - S_{11}\Gamma_S}$$

其中 $\Delta_S = S_{11}S_{22} - S_{12}S_{21}$

⭐⭐ 电压增益

$$G_{VS} = \frac{S_{21}(1+\Gamma_L)(1-\Gamma_S)}{(1-S_{11}\Gamma_S)(1-S_{22}\Gamma_L) - S_{12}S_{21}\Gamma_S\Gamma_L}$$

9.2 放大器稳定性 ⭐⭐⭐

不稳定原因:$|\Gamma_{in}| \geq 1$ 或 $|\Gamma_{out}| \geq 1$ 时产生振荡

绝对稳定条件(对所有无源 $\Gamma_S, \Gamma_L$ 均稳定):

⭐⭐⭐ Rollett稳定因子

$$\boxed{k = \frac{1 - |S_{11}|^2 - |S_{22}|^2 + |\Delta_S|^2}{2|S_{12}S_{21}|} > 1}$$

工程充分条件(同时满足):

  1. $k > 1$
  2. $|\Delta_S| < 1$
  3. $|S_{11}| < 1$
  4. $|S_{22}| < 1$

稳定性改善措施

  • 输入/输出端串/并联电阻
  • 局部负反馈

9.3 放大器功率增益 ⭐⭐⭐

⭐⭐⭐ 三种增益定义

1. 功率转换增益 $G_T$

$$\boxed{G_T = \frac{P_L}{P_A} = \frac{|S_{21}|^2(1-|\Gamma_S|^2)(1-|\Gamma_L|^2)}{|1-S_{11}\Gamma_S|^2|1-S_{22}\Gamma_L|^2 - |S_{12}S_{21}\Gamma_S\Gamma_L|^2 + \cdots} }$$

简化形式(单向化 $S_{12}=0$):

$$G_{TU} = \frac{|S_{21}|^2(1-|\Gamma_S|^2)(1-|\Gamma_L|^2)}{|1-S_{11}\Gamma_S|^2|1-S_{22}\Gamma_L|^2}$$

2. 资用功率增益 $G_A$(与负载无关):

$$G_A = \frac{|S_{21}|^2(1-|\Gamma_S|^2)}{|1-S_{11}\Gamma_S|^2(1-|\Gamma_{out}|^2)}$$

3. 工作功率增益 $G_P$(与源无关):

$$G_P = \frac{|S_{21}|^2(1-|\Gamma_L|^2)}{(1-|\Gamma_{in}|^2)|1-S_{22}\Gamma_L|^2}$$

关系:当输入输出均匹配时 $G_T = G_A = G_P$

9.4 射频放大器设计 ⭐⭐⭐

最大增益设计(共轭匹配)

$$\Gamma_S = \Gamma_{in}^, \quad \Gamma_L = \Gamma_{out}^$$

⭐⭐ 最大增益设计公式

$$\Gamma_S = \frac{B_1 \pm \sqrt{B_1^2 - 4|C_1|^2} }{2C_1}$$

$$\Gamma_L = \frac{B_2 \pm \sqrt{B_2^2 - 4|C_2|^2} }{2C_2}$$

其中:

$$B_1 = 1 + |S_{11}|^2 - |S_{22}|^2 - |\Delta_S|^2$$

$$B_2 = 1 + |S_{22}|^2 - |S_{11}|^2 - |\Delta_S|^2$$

$$C_1 = S_{11} - \Delta_S S_{22}^*$$

$$C_2 = S_{22} - \Delta_S S_{11}^*$$

符号选取

  • $B_1 > 0$ 取”−”,$B_1 < 0$ 取”+”
  • $B_2 > 0$ 取”−”,$B_2 < 0$ 取”+”

最大转换增益

$$G_{T,max} = \frac{|S_{21}|}{|S_{12}|}\left(k - \sqrt{k^2-1}\right)$$

放大器设计类型总结

放大器类型 主要目标 设计要点
低噪声放大器(LNA) 最小噪声系数 输入按最佳噪声源阻抗匹配,非共轭匹配
增益放大器 最大增益 输入输出共轭匹配
功率放大器(PA) 最大输出功率/效率 输出按最佳负载阻抗匹配,注意1dB压缩点和效率

📝 核心公式速记忆清单

# 公式 章节
1 $I = B\log_2(1+SNR)$ 香农公式 Ch1
2 $Z_{in} = Z_o\frac{Z_L+jZ_o\tan\beta d}{Z_o+jZ_L\tan\beta d}$ Ch4
3 $\Gamma = \frac{Z_L-Z_o}{Z_L+Z_o}$ Ch4
4 $VSWR = \frac{1+ \Gamma
5 $\lambda/4$变换器:$Z_o = \sqrt{Z_{in}Z_L}$ Ch4
6 $F = F_1 + \frac{F_2-1}{G_1} + \frac{F_3-1}{G_1G_2}+\cdots$ Ch7
7 $P_{in,min} = -174+NF+10\log B+SNR_{o,min}$ Ch7
8 $DR_f = \frac{2}{3}(IIP_3 - F_t)$ Ch7
9 $k = \frac{1- S_{11}
10 $\Gamma_{in} = S_{11} + \frac{S_{12}S_{21}\Gamma_L}{1-S_{22}\Gamma_L}$ Ch9
11 $Q = \sqrt{R_{大}/R_{小} - 1}$ (L匹配网络) Ch6
12 $BW_{3dB} = f_0/Q$ Ch6

复习建议

  • ⭐⭐⭐ 章节(Ch4传输线、Ch7噪声与非线性、Ch9放大器)占考试分值最大,务必吃透所有公式推导
  • ⭐⭐ 章节(Ch2收发机结构、Ch3元器件、Ch5网络参数、Ch6匹配、Ch8滤波器)掌握核心概念和关键公式
  • ⭐ 章节(Ch1绪论)了解基本概念即可
  • 一页纸开卷建议重点写:传输线输入阻抗公式、Smith圆图关键位置、Friis公式、灵敏度/动态范围公式、S参数放大器公式、稳定因子k